1.HI3518EV200主时钟晶体选型
（1）时钟频率时钟频率=24/40MHz
● 频率误差≤±10ppm
● 温漂≤15ppm（-30～85℃）
● 温漂≤25ppm（-30～105℃）
● 串联电阻Rs=40Ω（典型值），45Ω（最大值）
● 负载电容CL=11pF（典型值），15pF（最大值）
● 激励功率DL(max)≥200μW
（2）晶体调试要求说明
● 起振条件：Rs×CL×CL＜9000可以满足起振要求。
● 需要供应商提供0ppm和±10ppm 三种规格的晶体样品，使用0ppm的晶体调试，确保调试后的频偏在-5～0 ppm以内，在调试好的电路上使用±10ppm的晶体验证，确认极限频偏值是否满足±20ppm以内。
● ≤85℃应用选择常温晶体，频偏范围=温漂+频率误差≤±25ppm。
● ≤105℃应用选择高温晶体，频偏范围=温漂+频率误差≤±35ppm可以通过频偏补偿将频偏值拉回到±25ppm以内。2.HI3518EV200的RTC时钟晶体选型
（1）时钟频率：32.768KHz
● 负载电容CL：典型值12.5pF
● 频率误差：±50ppm
● 温漂：≤400ppm
● 串联电阻Rs：≤70kΩ
● 激励功率：
DL(typ)≈0.01μW
DL(max)≥0.5μW
（2）晶体调试要求说明
● RTC-GPIO 的2个 pad 寄生电容约为 2pF~5pF，Typ=2.7pF。
● PCB板上的负载电容值（C_pcb），取决于选型的晶体的 CL值。具体计算方法：
C_pcb=CL×2－C_pin，其中
C_pin 为 IO 内部的寄生电容。因此，如果选型CL=12.5pF，则 C_pcb的建议值：12.5×2－2.7=22.3 pF，可以选用 22pF。
● 工作范围内频偏包括：25℃温度下的标称频率误差+温漂（工作温度范围内）
