HI3861L电性能参数-hi3680芯片

1.HI3861L电流分布

(1)HI3861L功耗分布描述如图:

HI3861L电性能参数-hi3680芯片

2.HI3861L推荐工作条件

(1)HI3861L推荐工作条件如图:

HI3861L电性能参数-hi3680芯片

3.HI3861L上下电要求

(1)HI3861L上电要求如图:

HI3861L电性能参数-hi3680芯片

上电顺序:

步骤1: 外部电池电源VBAT、IO电源VDDIO处于下电状态,PWRON无效,芯片处于下电状态。

步骤2: 外部电源VBAT、VDDIO上电(对上电顺序无要求),此时外部控制PMU_PWRON为低电平。

步骤3: 外部控制PMU_PWRON信号为高电平,PWRON需要在VBAT和VDDIO上电完成后1ms上拉至高电平(VDDIO)。

步骤4: Hi3861LV100/Hi3861V100/Hi3881V100内部PMU检测到PMU_PWRON信号为高电平1ms后,芯片内部开始解复位流程,有序地开启各电源,解复位时间为1.1ms,其中硬件配置字在解复位之后100us内锁存,然后芯片正常工作。

注意点:上下电边沿要单调并无回沟, PWRON下电不晚于VDDIO和VBAT

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