面向下一代网络的高速、高容量功率放大器-功率放大器电路设计

新开发的D波段功率放大器

NEC公司开发了一种功率放大器，可作为移动接入和前传/回传无线通信设备的关键设备，为5G Advanced和6G网络实现高速、高容量通信。该功率放大器采用可量产的砷化镓技术，在10GHz频段实现了世界最高的150mW输出功率。利用这一点，NEC旨在加快设备开发和社会实施。

5G Advanced和6G预计将提供100 Gbps级高速、高容量通信，相当于当前10G速度的5倍。这可以通过使用亚太赫兹频段（100至300 GHz）有效地实现，该频段可以提供10 GHz或更高的宽带宽。特别是，预计国际上分配给固定无线通信的D频段（130至174.8 GHz）将早日商业化。

NEC利用其通过开发和运营5G基站无线电设备和PASOLINK（一种通过无线通信连接基站的超紧凑型微波通信系统）而积累的高频带知识，继续推进技术开发。

新开发的功率放大器使用市售的0.1μm砷化镓（GaAs）伪晶态高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺。与用于太赫兹波段的CMOS和硅锗（SiGe）相比，GaAs pHEMT具有高工作电压和更低的大规模生产初始成本。

在电路设计方面，该功率放大器消除了降低高频频段性能的因素，并使用了适合高输出功率的阻抗匹配网络配置。这导致了在110 GHz和150 GHz之间实现出色的高频特性，以及GaAs pHEMT的世界最高输出功率。

除了实现100GHz以上的高性能、低成本无线电通信设备外，该功率放大器还将加速5G Advanced和6G的社会实施。

展望未来，NEC将继续开发旨在为5G Advanced和6G实现高速、高容量、高性价比无线通信的技术。