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可扩展的薄膜晶体管制造方法实现超洁净接口-薄膜晶体管结构和原理

含有具有记录亚阈值斜率的薄膜晶体管的微芯片,采用原位原子层沉积工艺制成

密歇根大学的Becky Peterson教授领导的一个团队开发了一种可扩展的,可制造的方法,用于开发在尽可能低电压下工作的薄膜晶体管(TFT)。这对于TFT与当今用于绝大多数集成电路的硅互补金属氧化物半导体(CMOS)的集成尤为重要。

“我们本质上是在开发一种不太复杂的设备,可以在较低电压下工作,”ECE博士生Tonglin(Tanya)Newsom说,他是该论文的第一作者。“有了这种陡峭的亚阈值摆动装置,我们可以显着降低电路的能量耗散,这意味着能量损失更少。这可以帮助每个使用电子设备的人。

TFT支持现代显示器的操作,充当控制每个像素处的光的开关。在开和关状态之间高效切换可实现更低的电压操作,并产生更节能的系统。实现高效开关的关键制造挑战之一是TFT内不同材料层之间需要超干净的界面。干净的界面意味着电子可以在通道中流动,以“打开”或“关闭”像素而不会被捕获。

“我们试图开发的关键技术是半导体和栅极绝缘体之间的超清洁界面,因此开和关状态之间的切换过程将非常尖锐,”彼得森说。“我们能够根据室温下的基本物理限制,以尽可能快的速率实现开关。”

为此,Peterson的团队与机械工程教授Neil Dasgupta合作,他们与他一起开发了锌锡氧化物的原子层沉积技术,这是一种宽带隙半导体,可用于电子和能源设备,如TFT,多功能传感器和太阳能电池。Peterson的团队通过直接集成晶体管的两个不同关键部分(栅极电容器和半导体通道)的原子层沉积工艺,使这项技术更进一步。

“我们在同一工具中背靠背沉积两层,而不会破坏真空,从而获得最 佳结果,”彼得森说。“这种方法展示了一种实现最 佳TFT性能的简单方法。

Peterson的团队专注于非晶态氧化物半导体,这是一类在显示器中商业化的材料,使我们能够单独控制像素。它们对于实现低功耗操作、高像素密度屏幕、触摸屏和触觉显示器非常重要,这些显示器可为各种应用(包括可穿戴设备和 AR/VR 设备)产生触觉效果,例如振动。

“我真的希望更多的人对这种基础科学和工程感兴趣,”纽森说,“因为这项工作不仅仅是发现新的可能性 – 而是关于改进技术以帮助世界。

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