薄膜晶体管策略可增强柔性显示面板性能-薄膜晶体管结构和原理

使用交联配体的混合电介质的氧化物TFT示意图。以PMMA-ZrO为栅极电介质的InO/ZnO异质结TFT的结构（顶部）和Hyb_0、Hyb_1和Hyb_2的分子结构（底部）。b ZrO NPs的拟议结构，以acac-FPA作为螯合配体，并通过叠氮化物化学与聚合物结合，而bis-FPA有效地交联聚合物主链

显示技术的进步促使具有可折叠和柔性面板的电子产品的发展。柔性显示器内置薄膜晶体管 （TFT），用作显示器的开/关灯开关。同时，下一代显示器发展的重要考虑因素包括电荷传输速度、运行稳定性和降低生产成本。

最近，POSTECH的一个研究团队提出了一种高效的交联策略，用于致密且无缺陷的薄膜有机-无机杂化介电层。这项研究的结果发表在Nature Communications上。

物联网的全球发展引起了人们对低待机功耗的金属氧化物半导体电路的兴趣。能够进行低成本溶液处理的TFT材料尤其受到关注。在几种可溶液加工的半导体中，金属氧化物被认为是TFT最成功的材料平台，主要是因为它们具有高电荷载流子迁移率和操作稳定性。

Dae Sung Chung教授（化学工程学系）及其团队提出了一种高效的有机-无机杂化介电层交联策略，该层将无机颗粒共价连接到聚合物。研究人员使用叠氮化物官能化的乙酰丙酮来开发有机 – 无机杂化电介质的致密且无缺陷的薄膜形态。

这种方法可降低漏电流，允许以低功耗驱动。此外，具有优异物理性能的电介质可以通过易于使用的溶液工艺制造。这意味着薄膜晶体管的制造成本降低，同时可以进行低温热处理，从而可以在柔性基板上制造它们。

首席研究员Chung教授解释说：“我们高效稳定的薄膜晶体管将使下一代柔性电子设备成为可能，例如柔性电子产品和可穿戴设备。这种新型氧化物半导体材料有望为存储器、显示器等产业的基础技术发展做出贡献。