据报道，英特尔已经完成了英特尔18A（1.8纳米级）和英特尔20A（2纳米级）制造工艺的开发，这些工艺将用于制造公司自己的产品，以及为其英特尔代工服务（IFS）部门的客户提供芯片。
英特尔中国区总裁兼董事长王锐在一次活动中表示，该公司已经完成了英特尔18A（18埃级）和英特尔20A（20埃级）制造工艺的开发。这并不意味着生产节点已准备好用于商业制造，而是英特尔已经确定了这两种技术的所有规格、材料、要求和性能目标。
英特尔的20A制造技术将依赖于栅极全能RibbonFET晶体管，并将使用后置电源传输。缩小金属间距，引入全新的晶体管结构，同时增加后置电源传输，这是一个冒险的举动，但预计20A将使英特尔超越该公司的竞争对手——台积电和三星代工。英特尔计划在2024年上半年开始使用该节点。
英特尔的18A制造工艺将进一步完善公司的RibbonFET和PowerVia技术，并缩小晶体管尺寸。这一节点的发展显然进展顺利，英特尔将其推出时间从2025年推迟到2024年下半年。英特尔最初计划在1.8埃的节点上使用ASML的Twinscan EXE扫描仪，该扫描仪具有0.55数值孔径（NA）光学器件，但由于它决定更快地开始使用该技术，因此它将不得不大量使用现有的TwinsScan NXE扫描仪（0.33 NA光学器件）以及EUV双图案。
该公司自己预计，当其在2024年下半年进入大规模制造（HVM）时，其1.8nm级制造技术将成为行业最先进的节点。
英特尔的20A和18A制造技术正在为公司自己的产品以及IFS将为其代工客户生产的芯片开发。
英特尔首席执行官帕特·盖辛格（Pat Gelsinger）在最近与分析师和投资者举行的电话会议上表示：“我们与10个最大的代工客户中的7个客户有着积极的合作关系，并持续增长，包括43个潜在客户和生态系统合作伙伴测试芯片。”。“此外，我们继续在Intel 18A上取得进展，并已与我们的主要客户共享了PDK 0.5（工艺设计套件）的工程版本，预计将在未来几周内发布最终的生产版本。”
