关于SS626的U-boot烧写-芯片烧录教程

如果待移植单板中已有U-boot运行，则可以通过串口或网口与服务器连接，直接更新U-boot。如果是第一次烧写，则需要使用ToolPlatform或者DS-5工具进行烧写。由于芯片特性，在使用DS-5时必须要对存储器和芯片进行初始化。在SS626V100 SDK中提供了相应的初始化脚本，当选用了不同的外围芯片，则需要重新配置初始化脚本才能使用。

一、Flash 的 U-boot 烧写方法

1.SPI -Nor Flash 烧写方法

SPI-Nor Flash烧写方法如下：

（1）在内存中运行起来之后在超级终端中输入：

# mw.b <ddr_addr> ff 0x100000 /* 对内存初始化*/ # tftp <ddr_addr> u-boot-ss626v100.bin /*U-boot下载到内存*/ # sf probe 0 /*探测并初始化SPI-Nor flash*/ # sf erase 0x0 0x100000 /*擦除 1M大小*/ # sf write <ddr_addr> 0x0 0x100000 /*从内存写入SPI-Nor Flash*/

说明：SS626V100平台的<ddr_addr>可用地址0x42000000。

（2）上述步骤操作完成后，重启系统可以看到U-boot烧写成功。

*在当前版本，使用sf lock 可以对SPI Nor Flash进行块保护（Blocks Protect）。如果对SPI Nor Flash的某个块进行了块保护，这个块就变成只读，运行擦除和写命令都不会生效，而且掉电并不能失效块保护。在这种情况下，只有在执行sf lock 0命令，解除块保护之后，SPI Nor Flash擦除和写操作才会起作用。

2.SPI-Nand Flash 烧写方法

SPI-Nand Flash烧写方法如下：

（1）在内存中运行起来之后在超级终端中输入：

# nand erase 0 0x100000 /*擦除 1M大小*/ # mw.b <ddr_addr> 0xff 0x100000 /* 对内存初始化*/ # tftp <ddr_addr> u-boot-ss626v100.bin /*U-boot下载到内存*/ # nand write <ddr_addr> 0 0x100000 /*从内存写入NAND Flash*/

说明：SS626V100平台的<ddr_addr>可用地址0x42000000。

（2）重启系统可以看到U-boot烧写成功。

二、eMMC 的 U-boot 烧写方法

eMMC烧写方法如下：

（1）在内存中运行起来之后在超级终端中输入：

# mw.b <ddr_addr> 0xff 0x80000 /* 对内存初始化*/ # tftp <ddr_addr> u-boot-ss626v100.bin /*U-boot下载到内存*/ # mmc write 0 <ddr_addr> 0 0x400 /*从内存写入eMMC*/

说明：

SS626V100平台的<ddr_addr>可用地址。

mmc write命令说明：

格式：mmc write <device num> addr blk# cnt

参数：

<device num>：设备号addr：源地址blk#：目的地址的块序号cnt：块的数目，块大小为512字节

（2）重启系统可以看到U-boot烧写成功。