TI栅极驱动器提供大量设计支持工具帮助简化设计-栅极驱动电路工作原理

随着电动汽车 (EV) 制造商竞相开发成本更低、行驶里程更长的车型,电子工程师面临降低牵引逆变器功率损耗和提高系统效率的压力,这样可以延长行驶里程并在市场中获得竞争优势。功率损耗越低则效率越高,因为它会影响系统热性能,进而影响系统重量、尺寸和成本。随着开发的逆变器功率级别更高,每辆汽车的电机数量增加,以及卡车朝着纯电动的方向发展,人们将持续要求降低系统功率损耗。

过去,牵引逆变器使用绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。然而,随着半导体技术的进步,碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管具有比 IGBT 更高的开关频率,不仅可以通过降低电阻和开关损耗提高效率,还可以增加功率和电流密度。在 EV 牵引逆变器中驱动 SiC,尤其是在功率级别 》100kW 和使用 800V 电压母线的情况下,系统需要一款具有可靠隔离技术、高驱动能力以及故障监控和保护功能的隔离式栅极驱动器。

牵引逆变器系统中的隔离式栅极驱动器

图 1 所示的隔离式栅极驱动器集成电路是牵引逆变器电力输送解决方案不可或缺的一部分。栅极驱动器提供从低压到高压(输入到输出)的电隔离,驱动基于 SiC 或 IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级,并能够在发生各种故障时实现监控和保护。

TI栅极驱动器提供大量设计支持工具帮助简化设计-栅极驱动电路工作原理

图 1:EV 牵引逆变器方框图

SiC米勒平台和高强度栅极驱动器的优势

针对 SiC,栅极驱动器必须尽可能降低包括开启和关断能量在内的导通和关断损耗。MOSFET 数据表包含栅极电荷特性,在开通曲线上,有一部分区域平坦且水平,称为米勒平台,如图 2 所示。MOSFET 在导通和关断状态间耗费的时间越长,损耗的功率就越多。

TI栅极驱动器提供大量设计支持工具帮助简化设计-栅极驱动电路工作原理

图 2:MOSFET 导通特性和米勒平台

当 SiC MOSFET 开关时,栅源电压 (VGS) 通过栅源阈值 (VGSTH),被钳位于米勒平台电压 (Vplt) 保持不变,因为电荷和电容是固定的。要使 MOSFET 开关,需要增加或去除足够的栅极电荷。隔离栅极驱动器必须以大电流驱动 MOSFET 栅极,从而增加或去除栅极电荷,进而减少功率损耗。通过公式 1 对隔离栅极驱动器将增加或去除的所需 SiC MOSFET 电荷进行了计算,表明 MOSFET 栅极电流与栅极电荷成正比:

TI栅极驱动器提供大量设计支持工具帮助简化设计-栅极驱动电路工作原理

公式 1

其中,IGATE 是隔离栅极驱动器 IC 电流,tSW 是 MOSFET 的导通时间。

对于 ≥150kW 的牵引逆变器应用,隔离栅极驱动器应具有 》10A 的驱动能力,这样可在米勒平台区域内以高压摆率对 SiC MOSFET 进行开关,同时达到更高的开关频率。SiC MOSFET 具有较低的反向恢复电荷 (Qrr) 和在高温下更稳定的导通电阻 (RDS(on)),可实现更高的开关速度。MOSFET 在米勒平台停留的时间越短,功率损耗和自发热就越低。

TI 的 UCC5870-Q1 和 UCC5871-Q1 是高驱动电流、符合 TI 功能安全标准的 30A 栅极驱动器,具有基本隔离或增强隔离等级功能,以及用于与微控制器进行故障通信的 SPI 串行外设接口数字总线。图 3 对 UCC5870-Q1 和一同类竞争栅极驱动器间的 SiC MOSFET 导通情况进行了比较。UCC5870-Q1 栅极驱动器的峰值电流为 39A,并在米勒平台保持 30A 的电流,导通速度非常快。通过比较两个驱动器之间的蓝色 VGATE 波形斜率,也可明显看出其导通速度更快。米勒平台电压为 10V 时,UCC5870-Q1 的栅极驱动器电流为 30A,而同类竞争器件的栅极驱动器电流为 8A。

TI栅极驱动器提供大量设计支持工具帮助简化设计-栅极驱动电路工作原理

图 3:比较 TI 的隔离式栅极驱动器与同类竞争器件

在导通 SiC MOSFET 方面的情况

隔离栅极驱动器的功率损耗来源

对栅极驱动器米勒平台的比较也涉及栅极驱动器中的开关损耗,如图 4 所示。通过比较发现,驱动器的开关损耗差异高达 0.6W。开关损耗是逆变器总体功率损耗的重要部分,因此,很有必要使用大电流栅极驱动器。

TI栅极驱动器提供大量设计支持工具帮助简化设计-栅极驱动电路工作原理

图 4:栅极驱动器开关损耗与开关频率之间的关系

热耗散

功率损耗会导致温度升高,因此需要使用外部散热器或更厚的印刷电路板 (PCB) 铜层,这会使系统热管理问题变得更加复杂。高驱动力有助于降低栅极驱动器的管壳温度,因此不需要成本很高的散热器或额外的 PCB 接地层来降低栅极驱动器的 IC 温度。在图 5 所示的热图像中,由于 UCC5870-Q1 的开关损耗较低,且在米勒平台的驱动电流较高,因此其运行温度降低了 15℃。

TI栅极驱动器提供大量设计支持工具帮助简化设计-栅极驱动电路工作原理

图 5:UCC5870-Q1 和同类竞争栅极驱动器

在驱动 SiC FET 方面的热耗散

结语

随着 EV 牵引逆变器的功率增至 150kW 以上,选择在米勒平台区域具有超高驱动能力的隔离式栅极驱动器可减少 SiC MOSFET 的功率损耗,实现更快的开关频率,从而提高效率,增加全新 EV 车型的行驶里程。同时,TI 符合功能安全标准的 UCC5870-Q1 和 UCC5871-Q1 30A 栅极驱动器提供了大量设计支持工具来帮助简化设计。

审核编辑:彭静

免责声明:文章内容来自互联网,本站不对其真实性负责,也不承担任何法律责任,如有侵权等情况,请与本站联系删除。
转载请注明出处:TI栅极驱动器提供大量设计支持工具帮助简化设计-栅极驱动电路工作原理 https://www.yhzz.com.cn/a/6933.html

上一篇 2023-04-17 11:25:05
下一篇 2023-04-17 11:31:28

相关推荐

联系云恒

在线留言: 我要留言
客服热线:400-600-0310
工作时间:周一至周六,08:30-17:30,节假日休息。