电子发烧友网报道（文/梁浩斌）新能源汽车发展至今，800V高压平台已经成为一个确定性的推进方向。自2019年开始，保时捷在Taycan车型上首次应用800V平台成为第一个吃螃蟹的车企后，随着技术方案以及高耐压功率器件产业的持续成熟，搭载800V高压平台的车型迎来了新一轮上市热潮。
已发布的800V平台车型盘点，国内车企推动力不足
去年我们可以看到，各大车企扎堆发布800V架构平台，搭载800V平台的车型也开始陆续发布并量产。
在电子发烧友的不完全统计中，截至今年11月，全球范围内已经发布的800V平台车型共有15款，其中有12款已经实现量产上市。其中，作为全球首款800V平台电动汽车，保时捷近日宣布第十万台Taycan正式下线，同时Taycan也是目前累计销量最高的800V平台电动汽车。去年保时捷Taycan的销量就突破了4万辆，达到41296辆，是2020年20015辆的两倍多。
另一方面，从全球范围来看，目前在800V平台电动汽车上，推进力度最大的车企除了保时捷外，就是现代起亚汽车集团。从上面的表格中可以看到，现代起亚汽车集团旗下的现代、起亚、捷尼赛思三个品牌共6款车型采用了800V架构，并且目前在欧美市场表现较好。
根据现代和起亚的财报，今年1到10月现代Ioniq5和起亚EV6是各自的主力销售车型，销量分别为77742台和68029台。
但国内车企方面，虽然800V平台的布局较早，但推动力似乎不足。极狐阿尔法SHI版是极狐与华为以“华为insight”模式打造的车型，搭载了华为提供的750V高压电气平台。这款车型早在2021年4月就已经官宣发布，但直到今年5月份才正式开始批量交付到车主手上。
而埃安VPlus的6C快充版的880V平台电压并不是全系标配，以定价来看，这个高压平台版本的车型显然不是为了走量而推出的，目的大概是为了展示技术，产能不会太高。
目前来看，国内车企在800V平台上有可能会起量的暂时只有小鹏G9和阿维塔11两款，小鹏G9和阿维塔都全系列标配高压平台，这两家车企也是相对而言比较热衷于推动800V平台的。
相比于韩国的车企，国内车企在800V平台上车这件事上似乎显得没有那么激进。而在2021年下半年800V平台引发了一轮热潮之后，当时很多人预想中的2022年“800V平台普及潮”如今却没有到来，产品最终落地的玩家依然不多。
800V平台上车，SiC产能是关键
当然，还有很多车企的800V平台车型还在规划中，目前或许受限于SiC产品供应或研发进度等未能实现大规模量产。由于800V平台相比以往的电动汽车系统电压提升了近一倍，因此相关器件也需要用到更高耐压的产品，SiC其高耐压、高频的特性就成为了高压平台的最佳选择。包括小鹏G9、现代、起亚的多款车型都在其主驱上大量采用了SiC器件。
值得一提的是，搭载全球首款800V平台的保时捷Taycan实际上在主驱逆变器上没有采用SiC器件，而是较为传统的硅基IGBT模块，由日立AMS供应。根据此前外媒的拆解，Taycan上的功率模块采用了特殊的设计，采用二合一封装、改善绝缘设计和双面冷却等技术实现IGBT与800V系统的匹配。
不过客观地说，在Tycan的开发阶段，SiC器件其实还并不成熟，没有在电动汽车上大规模应用的先例。当时仅有刚刚推出的特斯拉Model3在后桥主驱逆变器上采用了SiC器件，但以当时特斯拉的体量，难以作为参考。因此对保时捷来说贸然使用SiC产品到其首款电动车型上是具有较大风险的，结果就是，Taycan仅在OBC上部分采用了SiC模块。
要知道，SiCMOSFET器件与其相同额定参数的IGBT相比，总损耗可减少38%-60%。除此之外，SiCMOSFET在轻载工况下，也就是城市工况下的损耗表现相比IGBT优势会更加明显，折算成续航里程可以增加5%-10%。
另一方面，从初中物理知识中我们也能了解到，在同样功率下，电压越大，电流越小；而在电阻相同的情况下，电流的平方和温升成正比，所以高压平台能够做到更大功率或降低热管理压力。
不过目前全球SiC产能都处于供不应求的状态，以在旗下车型大规模采用SiC器件的特斯拉为例，目前特斯拉Model3中只在后电机逆变器模块上用上SiCMOSFET，但据测算，如果车用功率器件全采用SiC，单车用量将达到0.5片6寸SiC晶圆。
那么如特斯拉旗下车型的车用功率器件全部采用SiC，以其去年93万台销量的需求计算，一年的6寸SiC晶圆需求就高达46.5万片。以如今全球SiC衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求，更不用说SiC还有不少汽车以外的应用需求存在。
所以，800V上车目前还有三个方面问题摆在面前，一是还需要持续的大规模应用验证SiC器件可靠性，二是需要稳定充足的SiC产能保证，三是成本的持续下降。
目前被应用在量产车型上的车规级SiCMOSFET主要由英飞凌、ST、罗姆三家供应，供不应求现象较为严重。但随着近几年来第三代半导体材料在全球范围内掀起的扩产大潮，预计到2023年SiC衬底产能会有较为可观的涨幅。
电子发烧友在与国内一家SiC功率器件厂商的交流中也得知，目前除了衬底的产能在持续增长之外，SiC外延片的缺陷率也在逐年提升，也就是说SiC晶圆的利用率也会逐步提高，因此SiC衬底的需求其实不能只以目前单车的SiC器件应用量来预估。
所以乐观地预估，在未来两年解决SiC产能后，800V平台可能会首先在高端车型上陆续落地。随着产业成熟以及成本持续下降，国内SiC器件公司也会迎来登陆电动汽车主驱的巨大市场机会。
