晶体三极管及其基本放大电路之共发射极电路-晶体管共射极放大器实验报告数据

这部分通过分析共射级放大电路说明电路设计的一般步骤，并分析电路的各项参数！

一．共射集电极放大电路分析

1.基本结构

（1）直流通路：所有电容断路，电感短路，直流电源保留。

（2）交流通路：直流电源短路，根据频率高低决定电容盒电阻的情况。

（3）非线性失真分析方法

1.直流分析

2.交流分析

画出交流的等效图，用小信号模型代替三极管，分析各项参数，此部分较为熟练，结合实际应用电路分析一个模型即可。

其他放大倍数、输入电阻、输出电阻等参数按照公式计算，参照下面的例子进行计算。

例题：Q点稳定的分压式偏置电路

3.实际应用电路分析及选型

1.具体电路的设计及分析：

确定发射级电流Ie的值，参考Ie与特征频率fT的关系确定，且需要小于最大额定值，最大额定值查阅datasheet即可；

经验：小信号共发射极放大电路的Ie可以取0.1mA致数mA，中功率管则在几毫安到几十毫安，大功率管则在几十毫安到几安培。

Rc和Re的确定，电路的放大倍数已知，且其大小为Rc与Re的比值，Re上的直流压降需要在1-2V之间；Vce为电源电压的一半，一般可取Re为100欧；由此可以得出Rc和Re的大小。接下来需要验证设计的合理性：首先计算静态功耗Pc=Vce*Ic，是否小于Pcm；接下来仿真观察放大器是否存在非线性失真，若Rc太大，则压降变大，输出振幅较大时，集电极电位靠近发射级电位，消去波形下侧；若Rc太小，则集电极电位靠近电源电位，消去上侧。（将集电极电位设计在Vcc和Ve的中点），根据上面的情况适当调整Rc和Re的值，直道符合设计要求。

假设hfe为200，求出Ib，则假设流过基极电阻的电流为大于10*Ib以上的电流（忽略Ib）,计算Vb求出两个偏置电阻的阻值，注意，上面的仿真是在完成这一步骤的基础上进行的。

耦合电容组成了高通滤波电路，根据具体的使用情况确定即可。

去耦电容的添加，注意去耦电容的连接顺序。

2.放大电路的性能

（1）输入电阻的测量方法，输入端串联电阻Rs

（2）输出电阻的测量方法，输出端接负载RL与没有负载时的电压关系。

（3）提高放大倍数的方法，射级旁路电阻。

3.其他常用电路

（1）NPN管组成负电源放大电路

（2）PNP管伏电源供电电路

（3）NPN管双电源供电电路

（4）低通滤波电路，高频增强电路，频带调谐放大电路。