平面互补场效应晶体管替代金属栅工艺流程从平面 CMOS 45nm/ 32nm 节点开始，Intel 公司率先成功使用替代金属栅(Replacement – Metal – Gate， RMG) 工艺（又称后栅工艺），实现了高K氧化铪栅介质 ( 减小栅泄漏电流） 和金属栅（较低栅电阻），如图所示。
该工艺是指在形成层间介质层（ILD）后，插入工序以形成高k介质和金属栅叠层，即在化学机械抛光（露出多晶硅栅叠层）后，刻蚀掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用干法或湿法刻蚀清除多晶硅；然后形成高k介质（IL-ox/氧化铪)，接下来进行退火 一 沉积 TiN 覆盖层 一 退火 一 沉积非晶硅覆盖层 一 尖峰退火 一 湿法清除非晶硅 一 沉积 TaN（刻蚀阻挡层）和p型功函数层（p-WF, TiN) 一 掩模（开nFET) 一 刻蚀 P-WF (TiN) 一 光刻胶去除 一 沉积n型功函数层（TiAI) 一 栅金属层填充（CVD 或溅射钛，铝或钨)。其他工序与文章-1的相同。
审核编辑 ：李倩
免责声明：文章内容来自互联网，本站不对其真实性负责，也不承担任何法律责任，如有侵权等情况，请与本站联系删除。
转载请注明出处：平面互补场效应晶体管替代金属栅工艺流程-平面互差 https://www.yhzz.com.cn/a/4895.html