如何基于3DICC实现InFO布局布线设计-3d论坛高手交流区

前言

InFO(Integrated-FanOut-Wafer-Level-Package)能够提供多芯片垂直堆叠封装的能力,它通过RDL层,将芯片的IO连接扇出扩展到Die的投影面积之外,增加了bump的放置灵活性和IO数量。与CoWoS-S相比,既减少了硅制造成本,又通过异构集成获得了性能的提升,以及更小的体积。

在InFO封装设计中,其主要的难点在RDL自动化布线的实现,如何做到高效、DRC-clean以及高质量(电气、可靠性)实现?

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图 1

InFO_3D封装

芯和半导体的3DICCompiler(以下简称“3DICC”)设计平台,全面支持2.5D/3D chiplets集成设计和仿真。

本文介绍如何基于3DICC设计平台实现Fanout集成方式的布局布线,整个流程包含芯片创建、顶层创建、FanOut substrate创建和实现,以及系统规则检查和dummy填充、degassing hole添加,如下:

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图2

FanOut设计流程

案例介绍

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图 3

FanOut示例

1. 创建芯片模型,读入设计数据

首先,我们需要为每个芯片创建一个基本模型。为die定义floorplan的boundary,然后读入CSV文件,建立front-side的microbump pattern,这些microbump将与fanout substrate连接。

如下图:

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图4

(a)Die1 bump arrary (b) die2 bump array

2. 创建FanOut substrate

读入C4 bump的CSV文件,建立仅包含boundary信息的substrate floorplan。

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图5

(a)FanOut substrate boundary

(b) FanOut substrate的C4 bump阵列

3.创建系统顶层

1)读入两个top die和substrate的NDM库,进行布局放置。

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图6

FanOut设计顶层创建

2)Microbump镜像创建。通过3DICC的bump mirroring功能,将top die的microbump阵列镜像到substrate上,自动创建对接的microbump阵列。

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图7

top dies的bump镜像实现

3)基于顶层netlist和镜像后的bump阵列,自动追溯芯片间和芯片与封装基板间的互连关系,创建substrate的netlist和所有互连通道和映射关系,完成top level系统建立。

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图8

系统互连的自动创建

4.Fanout substrate自动布线

RDL substrate的自动布线将通过3DICC的add-on Custom Compiler进行。在进行布线之前,定义可调用的PDK库,其中包含定制的各种特殊图形PCell,如椭圆形、长方形等。点击OK后,系统将把这个库添加进入lib.defs文件中。另外,在版图编辑器中选择Packaging > Router Global Options,在Router Global Options中设定如下,完成自动布线器的全局规则设定。

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图9

PDK库和自动布线全局规则设定

1)打开3DICC设计库,导入顶层设计版图。

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图10

顶层设计版图

2)多层任意角度自动布线。

在Hierarchy工具栏设定stop level(可见的level深度)为1,使得布线器可以看到层次化设计中的pins和blockages。在Packaging > Auto Route中设定如下:

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图11

布线设定

完成布线后,回到top view的结果如下:

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图12

多层自动布线

3)PG平面创建。

设定用于PG平面创建的nets和布线层,如下:

Nets PG Plane layers VDD1, VDD2, VDDPST FA_SPP_1 VDD_IO FA_SPP_3 VSS FA_SPP_2

为VDD1创建PG平面边界。在Object/Layer Panel选择FA_SPP_1 drawing LPP。选择Packaging > Create Plane Boundary,在Create Plane Boundary工具栏,键入VDD1到Nets栏,在版图上用FA_SPP_1层画一个矩形区域,将VDD1 bumps/pins覆盖住。

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图13

VDD1平面边界创建

新创建的平面边界将目标网络和目标LPP信息存储为属性,这些属性将被布线器使用。接下来,重复以上步骤,为所有PG网络创建平面边界。

4)调整PG平面边界

检查各个PG平面边界中是否有将其他电源域的pin或者net包覆进来,如有,则进行平面调整,避免引起短路或开路。如下图中,可以看到VDDPST(黄色亮点)的bump也被VDD1平面边界覆盖。由于VDD1、VDD2、VDDPST共享同一层FA_SPP_1,为了确保不造成任何开路或短路,必需对平面边界进行调整。

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图14

初版PG平面边界

在Object/Layer Panel选择FA_SPP_1 drawing LPP,关闭除FA_SPP_1 和border drawing之外的所有可视层。在Design Navigator选择VDD1.该net被highlight出来。选择Packaging > Create Plane Boundary。其中仍然被包覆的其他bump(黄色高亮的VDDPST)可以通过继续切割进行处理。

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图15

VDD1 PG平面边界调整

继续进行VDD2和VDDPST的平面边界调整。结果如下:

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图16

VDD2和VDDPST PG平面边界调整

接下来,在Object/Layer Panel中使所有LPP层可视可选,Edit > Select > By LPP中选择border drawing。到Packaging > Realize Plane。执行结果如下:

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图17

PG平面边界调整结果

5.布线结果检查,dummy fill,de-gassing hole添加

布线完成后,进行top-level的3D rule检查和基于ICV的DRC、LVS、dummy fill和degassing hole创建等。

ICV的检查结果可以在错误窗口进行查看,分为几种类型:物理连接,匹配类型,逻辑物理一致性,bump cluster,芯片布局摆放,物理设计规则等。

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图18

ICV检查结果

打开Packaging > Create DeGassing Hole,选择如下:

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图19

de-gassing hole and dummy fill

生成设计的GDS,运行ICV来生成de-gassing holes和dummy fills,将de-gassing holes导入到当前设计中,代替PG平面。当操作结束以后,degassing holes被创建完成,版图展示如下:

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图20

post de-gassing hole and dummy layout

6.同步顶层设计

使用Custom Compiler完成InFO布线和编辑后,在3DICC中直接打开编辑过的设计,Tools > Digital Implementation > 3DIC Compiler,完成设计的同步更新。

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图21

最终版图结果

总结

3DIC Compiler可以帮助设计者实现InFO封装物理设计和分析,能够达到高度自动化(可以将数周的实现时间压缩到几小时),具有可定制substrate、高容量、高性能等特点。并且和芯片设计数据在统一平台上完全同步,实现芯片-封装协同设计。

审核编辑:汤梓红

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