ADM2582E / ADM2587E在电网和轨道产品设计中浪涌及ESD实验表现出众
下面是 ADM2582E/ADM2587E的介绍和PCB布线建议
ADM2582E / ADM2587E完全集成，信号和电源隔离，RS-485 / RS-422收发器。特点：
可配置为半双工或全双工
集成隔离式DC/DC转换器
RS485输入/输出引脚提供±15 kV ESD保护
符合ANSI/TIA/EIA RS-485-A-98和ISO 8482:1987(E)标准
ADM2587E数据速率:500 kbps
工作电压：5 V或3.3V
总线最多支持与256个节点连接
开路和短路故障保护接收器输入
高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs
在浪涌和ESD实验中表现出众。
推荐设计方法：(实现EN55022 / CISPR22 A类（FCC A类）)•确保PCB上有良好的去耦
（遵循ADM2582E推荐的去耦/
ADM2587E数据表）。
•在PCB走线连接和之间放置铁氧体磁珠
以下IC引脚：VISOOUT（引脚12）和GND2（引脚11
和Pin 14）。
•请勿将VISOOUT引脚连接到电源平面;连
使用PCB走线将VISOOUT转换为VISOIN。确保VISOIN（Pin 19）
如图所示，通过铁氧体连接到VISOOUT（引脚12）
在图1中。
•确保GND2（引脚16和引脚20）连接到GND2
（如图11所示）在L2铁氧体的外侧（总线侧）
在图1中。
•确保GND2平面有一个禁区
L1和L2铁氧体周围的PCB布局。拒之门外
区域表示不得有GND2填充或任何金属填充
在铁氧体下面的任何层上。原因是
最大限度地减少寄生电容之间的影响
PCB的走线和PCB的层数因此减少了
过滤铁氧体的好处。
适用于要求更严格的应用
EN55022 / CISPR22 B类（FCC B类）排放标准，
必须实施之前列出的建议
采用额外的缝合电容抑制技术
穿过隔离屏障。以下两种方法中的任何一种
可用于通过连接创建拼接电容：
•任何GND1引脚之间的嵌入式拼接电容
和GND2引脚（引脚11和引脚14）使用内部层
PCB平面。请勿连接缝合电容器
GND2引脚（引脚16和引脚20）。
•高压分立电容连接在
GND1引脚（引脚9和引脚10）和GND2引脚（引脚11和引脚）
针14）。
PCB指南
VCC解耦
去耦电容有两个主要功能。
•去耦电容用作电荷存储设备。
当IC切换状态并需要额外的时候
电流，本地去耦电容提供了这个
电流通过低电感路径。
•去耦电容可降低注入PCB的噪声平面，抑制高频噪声系统。注入噪声的来源可能会发生
VCC引脚上的电压暂时降低，直到提供足够的电流。在ADM2582E / ADM2587E中，isoPowertechnology切换在100 MHz的mA范围内的大电流，频率为180 MHz和400 MHz。 VCC引脚（引脚8）上的10μF电容提供PCB上本地有大量电荷储备。这些很重要电容器具有非常低的等效串联电阻（ESR）和180 MHz和400 MHz时的低等效串联电感（ESL）。当VCC和GND1引脚之间的去耦时不充分，这些高频开关电流不是从电容器本地提供但是从电力输送提供系统到PCB。如果用于供电的供电系统ADM2582E / ADM2587E不靠近IC，这是导致高频率的环路面积增加电流。环区域的增加导致增加排放水平。
从PCB布局的角度来看，它非常重要
•找到尽可能靠近的去耦电容
电源和GNDX引脚，以最大限度地减少电感和电感
电流环区域大小。
•最小化VCC电源引脚之间的阻抗路径
以及PCB的VCC电源层。
•最小化IC GND1引脚之间的阻抗路径
和PCB的GND1平面。
