随着芯片尺寸不断缩小，3D NAND闪存的工艺整合复杂度越来越大，由于堆栈沉积层数增加、晶圆中心到边缘的厚度差异增大等原因，其可能产生的缺陷也越来越多。目前，业内人士正在尝试降低晶圆边缘的缺陷密度，以提高晶圆的整体良率。为了提高良率，常见的晶圆斜面缺陷，例如剥落（或分层）、颗粒污染、电弧和微屏蔽等，是工程师关注的重点。
今天，泛林集团软件应用工程师Pradeep Nanja将详细说明上述缺陷，并探讨避免这些缺陷产生的方法。
原文链接：https://www.coventor.com/blog/silicon-wafer-bevel-defects-during-3d-nand-flash-manufacturing/
斜 面
从向外2-3毫米处到晶圆边缘，有五个区域需要注意，包括晶圆顶部边缘、上斜面、顶端、下斜面和晶圆底部边缘。
图1：晶圆的有源区域或图案化区域可被划分为晶圆顶部边缘、上斜面、顶端、下斜面和晶圆底部边缘
制造标准要求对斜面区域进行抛光，以防止晶圆开裂和龟裂。在晶圆的平面和曲面之间的边缘区域，沉积的材料厚度不均匀，刻蚀速率也不尽相同。在刻蚀过程中，部分材料可能会在边缘位置被误移除，一些残留的颗粒或刻蚀聚合物也可能会落回晶圆的斜面或背面，这些颗粒和材料的堆积会导致晶圆剥落或分层，从而导致良率下降。
缺 陷 类 型
1、剥落（或分层）或颗粒缺陷：
在半导体制造工艺中，可能发生多种剥落或颗粒污染问题。在半导体制造过程中沉积的薄膜，会环绕在其边缘、斜面和顶端。而随后发生的干法刻蚀不是各向同性的，可以去除边缘上的部分沉积，但不能完全去除斜面或顶端附近的沉积。因此，剩余的堆叠薄膜会受到界面应力影响，从而无法有效粘附。在加热和冷却过程中，随着材料性能发生变化，退火步骤会导致薄膜的附着力降低，产生气泡，这些气泡在热膨胀后会继续变大。如果气泡在晶圆搬运期间破裂，便会形成额外的颗粒。湿法刻蚀工艺也会侵蚀晶圆边缘的薄表面，导致分层，进而产生更多的颗粒。由于这些颗粒可能会落在晶圆中心，造成良率损失增加，所以这是一个十分严重的缺陷。此外，3D NAND同样可能发生剥落，尤其是在存储器孔和阶梯状图形这些需要很厚的碳沉积的结构中，很有可能发生断裂和剥落。
2、电弧损伤：
电弧是气体电击穿产生的长时间放电现象。有一些工艺步骤需要反应离子刻蚀（RIE）和钨填充来产生电弧。而在反应离子刻蚀过程中，等离子体的电弧或放电问题尤为明显。在实施高深宽比反应离子刻蚀期间，低介电绝缘层中的电荷分布不均匀会造成电弧损伤。金属线是通向介质绝缘层带电区域的接地通路，而电弧损伤往往就发生在金属线附近。由于未完全去除残余颗粒，晶圆边缘会形成多层不同厚度的薄层间介质（ILD）、金属阻挡层（氮化钛）和导体薄膜（钨）。晶圆的各个位置由不同的材料制成，而这些残留的颗粒会在晶圆的不同材料之间形成多余的分界面，导致金属界面上产生电荷积聚，而金属可能在这些位置发生爆炸性蒸发。这种电荷积聚会导致金属颗粒从斜面区域喷射到晶圆的有源区域，造成不同类型的短路，严重影响良率。因此，金属沉积后需要进行适当的斜面刻蚀，以防止在反应离子刻蚀期间可能会发生破坏性电弧。此外，由于3D NAND使用的碳硬模是导电的，也是潜在的电弧源，因此也应该被去除。
3、微掩模或针状缺陷：
在高深宽比刻蚀过程中，例如在生产DRAM、NAND和功率器件时，可能出现微掩模或针状缺陷。3D NAND闪存的扩展加剧了这一缺陷。如果刻蚀材料在刻蚀期间于斜面位置处曝光，这些缺陷便会出现在斜面区域。在悬浮栅级OPOP（Oxide-Poly Si-Oxide-Poly Si）首次集成期间，存储器孔刻蚀对衬底不具有选择性，在刻蚀存储器孔和狭缝时，斜面可能出现严重的微掩模。在电荷撷取层ONON（Oxide-Nitride-Oxide-Nitride）替换栅极集成期间，存储器孔和狭缝刻蚀对硅衬底具有选择性。可以通过精细操作斜面刻蚀步骤来减轻斜面上的微掩模，避免其出现在氮氧化层。在ONON集成过程中，氮化物被去除，随后被钨替换。这种氮化物去除步骤可能会由于湿法腐蚀在斜面产生缺陷，尤其是当之前的高深宽比刻蚀步骤已在该区域形成微掩模的情况下。
斜 面 刻 蚀 工 艺
斜面刻蚀工艺用于去除晶圆边缘任何类型的薄膜，无论是介电薄膜、金属薄膜还是有机材料薄膜都可被去除。在此过程中，晶圆被夹在顶板和底板之间，因此晶圆边缘是其唯一外露的部分。这可以确保只有晶圆边缘部分被刻蚀。
图2：前侧和后侧暴露在外，即将被刻蚀的斜角和边缘区域
在斜面刻蚀过程中，氮气从晶圆中心流向边缘，防止颗粒被推到晶圆中心，污染晶圆，降低良率。斜面刻蚀的定位至关重要，因为任何错误都可能导致晶圆厚薄不均。通过预防剥落、电弧和微掩模问题，斜面刻蚀可以减少晶圆边缘出现缺陷的几率。
结 论
随着芯片尺寸的减小和复杂度的增加，减少边缘缺陷成为提高良率的要点之一。了解剥落、电弧损伤和微掩模等边缘缺陷问题对于提高晶圆良率至关重要。通过在工艺流程的特定环节添加斜面刻蚀和斜面清洗工艺，可以有效减少这些缺陷。斜面刻蚀和斜面清洁工艺将在未来的技术节点上发挥关键作用，随着系统集成的挑战不断增加，这些工艺也会被更加广泛地采用。
声明： 本文来自泛林半导体设备技术 ，目的在于信息传递，观点仅代表作者本人，不代表易百纳立场。如有侵权或其他问题，请联系我们。
