STD45NF75T4是ST微电子最新发展的独特的“单特征尺寸”条带制程。所得到的晶体管显示出极低的on电阻、坚固的雪崩特性和较低的临界对准步骤的封装密度极高，因此具有可标记的制造重现性。
特征说明：
典型的RDS(on) = 0.018Ω
100%雪崩测试
门费用最小化
表面安装DPAK (TO-252)带卷电源包(后缀为T4)STD45NF75T4内部原理：
STD45NF75T4应用：
高电流,开关
应用程序
STD45NF75T4原装现货：http://www.dzsc.com/ic-detail/9_2682.html免责声明：文章内容来自互联网，本站不对其真实性负责，也不承担任何法律责任，如有侵权等情况，请与本站联系删除。
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