泛林集团推出先进介电质填隙技术，推动下一代器件的发展

全新Striker® FE增强版原子层沉积平台可解决3D NAND、DRAM和逻辑芯片制造商面临的挑战

全球半导体产业创新晶圆制造设备及服务主要供应商泛林集团(Nasdaq: LRCX)宣布推出一款全新的工艺方案——先进的Striker® FE平台——用于制造高深宽比的芯片架构。Striker FE平台采用了业界首创的ICEFill™技术，以填充新节点下3D NAND、DRAM和逻辑存储器的极端结构。不仅如此，该系统还具备更低的持续运行成本和更好的技术延展性，以满足半导体产业技术路线图的发展。

半导体制造行业一直以来使用的填隙方法包括传统的化学气相沉积(CVD)、扩散/熔炉和旋涂工艺。然而，由于这些技术需要在质量、收缩率和填充率之间权衡取舍，因此已无法满足当前3D NAND的生产要求。相比之下，泛林集团的Striker ICEFill采用其独有的表面改性技术，可以实现高选择性自下而上及无缝的填隙，并保持原子层沉积(ALD)固有的成膜质量。 ICEFill技术能够解决3D NAND器件普遍存在的高深宽比填隙面临的限制，避免DRAM和逻辑器件结构倒塌的问题。

声明：本文出自【泛林半导体设备技术】公众号，版权归原作者所有，如涉及侵权请联系我们删除。