5v1a充电器芯片方案可省RCD元件

5V1A的充电器是市场上应用比较多的类型，它支持的功能全面，而且稳定，5v1a充电器芯片PN8366六级能效充电方案，骊微电子该方案拥有低待机、高效率、小体积、高可靠性等优点，备受工程师青睐！

PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

5v1a充电器芯片方产品特性

■ 内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)

■ 内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）

■ 采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准

■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度

■ 原边反馈可省光耦和TL431

■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调

■ 无需额外补偿电容

■ 无音频噪声

■ 智能保护功能

— 过温保护 (OTP)

— VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)

— 逐周期过流保护 (OCP)

— CS开/短路保护 (CS O/SP）

— 开环保护 (OLP)

PN8366方案采用单面板设计，双面无器件，散热性能好，输入电压：90~264Vac;输出功率：5W；待机功率<50mW.启动时间小于100MS;拥有输出短路保护，输出欠压保护，满足六级能效要求，效率达到73.6%。裕量充足。