中芯国际完成了其第一阶段7nm级等效节点的生产

[ 摘译 – 原文 Wccftech — 2020年10月15日]

中美之间日益加剧的贸易紧张局势导致华为技术有限公司无法保护在领先工艺节点上制造的半导体。 这剥夺了该公司在高端智能手机市场上竞争的能力，并使其难以在其他地方获得类似产品的保护。

华为的另一种选择是国内的半导体制造商中芯国际（SMIC），许多分析师认为，在美国新制裁之后，这将加深与该公司的联系。 然而，现在看来这似乎不太可能，因为现在人们认为美国政府正在密切监视对公司的出口，因为担心它们可能会落入中国军方手中。

所有这些限制仍然没有阻止中芯国际开发其产品，据一份来自中国的最新报告显示，中芯国际正在大规模生产与先进的7nm制造工艺节点相当的早期产品。

中芯国际的N+1 14nm后工艺节点完成了芯动科技（Innosilicon）的生产

这项成就的报告来自《珠海经济特区报》，该报涵盖了中国珠海经济特区和Innosilicon本身的事件。根据详细信息，中国IP和芯片设计公司已经完成了首个磁带输出和中芯国际N + 1处理节点的测试。

出带是芯片制造过程的最后阶段，可以消除所有剩余的设计缺陷。中芯国际目前最新一代的制造节点是14纳米制程，根据公司代表的陈述，似乎公司将完全跳过10纳米制程。

N + 1节点被广泛认为是7nm工艺的早期变体。具体而言，它可将性能提高20％，功耗降低57％，逻辑面积降低63％，片上系统（SoC）占用空间降低55％。相比之下，TSMC的7nm工艺在其10nm节点上将晶体管密度提高了约73％，在其16nm节点上速度提高了约35-40％，功耗降低了65％。

由于性能提高了20％，中芯国际的管理层不愿将N + 1节点归类为纯7nm节点。因此，中国分析家称该工艺为“ 8nm”或7nm节点的早期，低性能变体。继N + 1之后，中芯国际计划引入其N + 2节点，由于其性能提高，该节点预计将比N + 1节点昂贵。

芯动科技在新闻稿中强调了它与中芯国际的合作关系，以确保该晶圆厂能够打破该工艺的生产瓶颈。更重要的是，即使中芯国际已经完成了其N + 1节点的首个磁带，批量生产的产品也带来了一系列新的挑战，该公司要想赶上竞争对手就必须快速，一致地克服这些挑战。在全球半导体制造市场。

中芯国际在这个领域的主要竞争对手是台湾的台湾半导体制造公司（TSMC）和韩国的韩国三星电子的三星代工部门。这两款产品都能够将下一代极紫外（EUV）光刻技术集成到其制造工艺中，并且SMIC有望通过我们最初称为其N + 3假想工艺节点的方式来实现。

该节点应该是SMIC 7nm的第三代，其制造将测试该公司的工程和管理实力。读者还应该记住，N + 3可能只是升级后的N + 2，在SMIC能够为此目的购买荷兰公司ASML的最新机器之后才开始生产。

中芯国际的竞争对手目前要么正在准备或正在制造5nm制程节点的产品。人们普遍认为，5nm制程节点是最后几个收缩物理约束无法消除的半导体节点之一。