英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC™ MOSFET,导通电阻从30mΩ到350mΩ,可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器(不同的电流额定值)实现最高效率。
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CoolSiC™沟槽MOSFET技术经过优化,将性能与可靠性相结合,并具有3µs的短路时间。由于采用.XT连接技术,其小巧封装外形的散热性能得到显著改善。相比标准封装的连接技术,.XT连接技术可多消散30%的额外损耗。该全新CoolSiC™ .XT产品系列表现出一流的热性能和循环能力:与标准连接技术相比,输出电流最多提高14%,开关频率提高一倍,工作温度则降低10-15°C。
来源:英飞凌