PN8611集成超低待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件超精简的充电器、适配器和内置电源。PN8611为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。
PN8611是一款全电压实现12V1A输出的电源适配器芯片，PCBA尺寸：50.0mm38.0mm16.0mm，12W功率输出，待机功耗<75mW，平均效率：>83.26%，可满足CoC V5 Tier 2，全电压可实现±3%的CC/CV输出精度，具有市电异常保护，输出短路、VDD过压、FB上电阻异常、肖特基短路、过温等保护功能。
12v1a适配器方案亮点： ■ 高集成度，仅2颗外围，1颗供电电容和1颗调节输出电压的反馈电阻； ■ 高恒压恒流精度，利用CP trim和FT trim技术，实现CC/CV 3%精度； ■ 高可靠性，精准实现市电异常保护； ■ 高转换效率，多工作模式轻松满足CoC V5 Tier 2能效标； ■ 卓越EMC性能，无Y无共模，EMC余量大于6dB
