带隙基准电压(二)-运放结构-带隙基准电路

上文讲解了带隙基准Bandgap电路的基本原理，并给出了一个不带运放的带隙基准电路作为例子，提供了设计仿真，详见带隙基准电压-Bandgap。

先上图，经典Banba结构带隙基准电路，该电路由三部分组成。

1.Start up part，启动电路主要由MSA、MSB、MSC三个管子组成。2.Two-stage Amplifier，二级运算放大器。3.Bandgap core，带隙基准核心电路。

接下来先介绍下带运放的带隙基准电压设计原理。

不考虑运放的失调电压，那么有：

输出电压Vref：

具体演算参见带隙基准电压-Bandgap，根据带隙基准电压-Bandgap的结论，选择合适的n、R2、R3就可以使得Vout的温度系数为0，近似认为输出电压与温度无关。

注意，实际上因为Vbe的温度系数本身与温度有关，因此实际上带隙基准只能在预设温度临近区域内才能看作与温度无关。

重点来了，上面的传统带隙基准电压输出值Vref一般在1.25V左右，那么怎么灵活设计出可提供不同基准电压的电路呢？

另一种结构的带隙基准电路设计如下。具体原理下回抽时间分解。