带隙基准电压(三)-运放结构
带隙基准电压(二)-运放结构
带隙基准电压-Bandgap
接上面三篇文章继续聊BandGap:
经典Banba结构带隙基准电路,该电路由三部分组成。
1.Start up part,启动电路主要由MSA、MSB、MSC三个管子组成。2.Two-stage Amplifier,二级运算放大器。3.Bandgap core,带隙基准核心电路。在放大器的偏置电路中,如果初始状态节点2的电压为0,则出现简并,在没有外界刺激情况下将永远不工作,这在实际应用中是不可接受的,所以必须想办法去除简并点,方法如下图所示,由三个MOS管形成开启电路:
上电后:
PMOS管MSA栅极接地,所以MSA始终导通,使S点电平升高;
S是MSB栅极,MSB导通,MSB的漏极(即启动点)电平降低,这样启动后续PMOS栅极,电路整体开始工作。
如何脱离MSB?
电路工作后 ,MSC管开启,这样S点电平便开始下降,MSB由此关断,启动电路完成脱离。
MSA常导通?功耗控制?
MSA常导通,浪费功耗,所以必须控制MSA的导通电流小,可以使MSA的W小于L。
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转载:全栈芯片工程师
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